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作者:小编    发布时间:2023-05-26 21:20:30    浏览量:

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  四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65

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  IAR Systems 全面支持Renesas RZ/T2 和 RZ/N2 系列 MPU,助力实时控制和工业网络开发

  IAR Embedded Workbench® 的创新工具助力加快下一代工厂自动化应用的开发,满足高性能电机控制所必需的实时性能、工业网络和功能安全等要求。瑞典乌普萨拉 - 2022

  三星称自己在6月底量产了3nm工艺,于是万众期待,大家都想看台积电的3nm什么时候量产,与三星相比又怎么样,毕竟当前能够量产3nm,且一路竞争的,只有这两家。原来台积电表示,3nm已试产,2023年上半年会量产,第一代3nm工艺称之为N3,至于客户则是苹果,也有可能会有intel,高通、联发科等

  经典焕新升级,IT-N6900再起新征程——ITECH“N”系升级款新品IT-N6900大揭秘!

  近日,ITECH新品发布会隆重召开,除了一直备受业界关注的IT7900P系列、IT8200系列交流测试解决方案正式发布以外,还有一款“N”系升级款新品揭开了神秘面纱。作为经典直流电源IT6900A系列

  飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术

  Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发,减少元件数量;是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。加州戈利塔 -- (新闻稿)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换

  重磅!2022年中国及31省市功率半导体行业政策汇总及解读(全)“攻坚克难”是主旋律

  行业主要上市公司:国内功率半导体行业上市公司主要有新洁能(605111)、华润微(688396)、闻泰科技(600745)、士兰微(600460)和斯达半导(603290)等。本文核心内容:政策汇总、

  Littelfuse Pxxx0S3N SIDACtors采用紧凑封装,可提供高浪涌电流过压保护

  专为工厂自动化、储能系统(ESS)、电动汽车(EV)壁式充电器等工业应用而设计中国北京,2022年4月19日讯– 致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse

  东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

  中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源

  重磅!2022年中国及31省市第三代半导体行业政策汇总及解读(全)第三代半导体迎政策红利

  行业主要上市企业:目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)356体育官方网站、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等

  助力中国“芯”发展356体育官方网站!国民技术N32G455系列通用MCU产品荣获第十六届中国芯“优秀市场表现产品奖”

  2021年12月20日,以“链上中国芯 成就中国造”为主题,由中国电子信息产业发展研究院举办的第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会在广东珠海国际会展中心成功举办。国民技术N32G455系列通用MCU产品凭借出色的市场表现,从数百款产品中脱颖而出,荣膺2021中国芯“优秀市场表现产品奖”

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